中科院、台經院舉辦 半導體應用元件論壇

工商時報【黃台中】

中科院和台灣經濟研究院10月13日在台北市徐州路台大醫院國際會議中心舉辦一場功率半導體材料(氮化鎵、碳化矽)應用元件國際論壇,邀請Infineon Technologies、Transphorm、STMicroelectronics、台達電子、全鑫材料、漢磊科技及交通大學等國內外功率半導體產學機構專家發表專題演講,與國內各界分享交流,有意參加者可線上(ppt.cc/B7H2K)報名。

台經院指出,次世代電力電子製造技術為全球製造業創新研究發展重點之一,矽基元件是過去幾十年來世界經濟發展的重要推手,由於矽(Si)已接近其理論上的性能極限,寬能隙(wide-bandgap,WBG)半導體材料與電力電子元件日趨重要,將成為次世代功率產品及應用重要的技術平台。

中科院近年來積極投入寬能隙高功率材料與模組製程的研究,並已成立我國功率模組高功率元件應用研發聯盟之產業技術交流平台,透過這場國際論壇,將帶動國內相關產業技術與經驗的交流,促成上下游廠商結盟合作,扎根台灣,放眼國際。